NOR 是布尔逻辑的一个术语。 它与 NAND 门和 NAND 逻辑密切相关但有根本区别，因为两者都是功能完整的操作。 它们可以表示所有其他布尔运算符，例如 AND、OR 或 NOT。 或非门本身依赖于两个或多个输入。 只有两种可能的输出——它们通常表示为 0 和 1 或高和低。 这些值代表布尔逻辑中的真/假状态。
在 NOR 门的情况下，除非所有给定的输入均为 0，否则结果输出始终为 0 – 然后结果为 1。因此，如果 NOR 门接收到 0 和 1 作为输入，则输出为 0。如果它得到 1 和 1，输出也为 0。只有当所有输入都为 0 时，输出才为 1。如果有两个以上的输入，这也适用。 虽然很少见，但这是可能的——在这种情况下，仅当所有三个输入时才输出 1，因为 example为 0。
最常见的是，NOR 在 NOR 门的上下文中使用——NOR 门是一种物理类型的逻辑门，用于构建内存模块等。 NOR 和 NAND 门是各种 PC 和电子部件中流行的架构类型。 几乎任何类型的半导体结构都可以完全由或非门构建，因为如前所述，它们在功能上是完整的。
最常见的或非门类型是标准的 2 输入门——然而，在市售设备中，一个门有多达 8 个输入。 有 2、3、4、5 和 8 输入门，以及具有更复杂设置的门，例如三重 3 输入或非门。
或非门的使用
基于 NOR 的内存在计算机或智能手机中并不普遍。 这样做的原因是成本。 NAND 闪存提供了更优越的存储密度，而且价格更便宜。 其他几个重要的差异化因素也发挥了作用。 NOR 闪存在写入数据时速度很慢。 这将使基于 NOR 闪存的 SSD 在特定的低写入用例之外销售时存在问题。 不过，NOR 闪存确实有一些优势。 读取数据时速度很快。 数据也可以单独的位读取。 NOR 闪存具有低功耗，并且在具有挑战性的环境中具有很强的抵抗力。 NOR 闪存也是直接可寻址的，这意味着存储在其中的代码可以直接执行，而不需要先复制到 RAM 中。
根据写入需求，NOR flash 甚至可以进行位级别的写入。 每个位都可以完成从 1 到 0 的更新。 但是，从 0 到 1 的擦除必须在块级别完成。 正是缓慢的擦除过程使 NOR 闪存在写入时变得缓慢。
基于 NOR 的存储器仍然有用例。 写入速度慢将用例限制为预期写入操作数量较少的用例。 虽然归档存储符合此要求，但每单位内存的高成本使其成为具有高容量要求的用例的非启动器。 NOR 用于微控制器并存储固件或 BIOS 等内容。 这些用例通常不需要太多存储空间，因此价格或大小不是什么大问题。 更新预计会定期发生，但可能偶尔需要。 直接寻址能力也是一个很大的好处，因为代码可以在不使用 RAM 的情况下直接执行。
理论或非
由于 NOR 闪存的使用率较低，许多对 NOR 的引用可能指的是简单的布尔函数。 它于 1880 年由 Charles Pierce 首次描述，并被证明可提供功能完整性。 这意味着可以仅使用或非门的组合来创建所有其他布尔逻辑门。 NAND 是唯一可以做到这一点的其他布尔逻辑门。
或非图和真值表
NOR 代表 Not-OR，是布尔 OR 函数的逻辑反函数。 如果其中一个输入为真，则或门为真。 如果一个或另一个输入都不为真，则或非门为真。
小费： NOR 和 OR 函数都不应与 XOR 混淆。 XOR 是异或； 如果任一输入为真则为真，如果两个输入均为真或假则为假。
真值表解释了上述可能的输入和输出选项。 除全 0 之外的所有组合都返回 1，而全 0 输入返回 1 作为输出。
NOR 逻辑（或门）的不同组合可用于创建其他布尔数学函数。 或非门和与非门具有称为功能完整性的属性。 这意味着可以仅使用或非门构建任何其他逻辑门。 这是通过在特定配置中重复使用多个或非门来完成的。 为了 example，您可以通过以特定方式组合三个或非门来创建与门。 这就是它的样子：
虽然 AND 门的符号本身要简单得多，但这两个选项都将从相同的输入 A 和 B 提供相同的输出 Q。需要不同的方式组装或非门来创建其他类型的功能物理半导体和理论数学问题中的门。
结论
NOR 是逻辑门； 它代表非或。 或非门是或门的逻辑逆。 如果所有输入都有效，则或门仅返回 false。 相反，除非所有输入都错误，否则或非门始终为真。 或非门具有称为功能完整性的属性，允许它们组合以创建所有其他逻辑门。 NOR 门是 NOR 闪存的核心组件，主要用于微控制器或用于存储固件。
